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高低溫環(huán)境試驗裝置「光電半導體領(lǐng)域」

高低溫環(huán)境試驗裝置「光電半導體領(lǐng)域」

簡要描述:高低溫環(huán)境試驗裝置「光電半導體領(lǐng)域」
光電半導體領(lǐng)域:針對 LED、太陽能電池、半導體芯片等敏感元件進行溫濕度交變測試,檢驗半導體器件在高溫下的熱穩(wěn)定性、可靠性以及電性能,在低溫下的冷啟動能力、低溫下的工作性能等,確保其性能穩(wěn)定性和使用壽命。

產(chǎn)品型號: SMB-225PF

所屬分類:高低溫環(huán)境試驗裝置

更新時間:2025-02-25

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

詳情介紹

高低溫環(huán)境試驗裝置「光電半導體領(lǐng)域」



結(jié)構(gòu)組成


  • 箱體:內(nèi)膽一般采用進口高級不銹鋼(SUS304)鏡面板,具有良好的耐腐蝕性和清潔度;外膽采用 A3 鋼板噴塑,造型美觀,增加了外觀質(zhì)感。

  • 制冷系統(tǒng):由壓縮機、冷凝器、蒸發(fā)器、節(jié)流閥等部件組成。

  • 加熱系統(tǒng):主要由電加熱絲和溫控裝置構(gòu)成,根據(jù)設定溫度自動調(diào)節(jié)加熱功率。

  • 循環(huán)風系統(tǒng):包括風扇、風道等組件,使箱內(nèi)空氣形成循環(huán),保證溫度均勻分布。

  • 控制系統(tǒng):采用微電腦控制系統(tǒng),可實現(xiàn)對溫度的精確控制和監(jiān)測,支持多段程序設定。

  • 濕度系統(tǒng)(部分具備):采用外置隔離式,全不銹鋼鍋爐式淺表面蒸發(fā)式加濕器,可實現(xiàn) 30%~98% RH 的濕度控制



高低溫環(huán)境試驗裝置「光電半導體領(lǐng)域」

1、溫度范圍:-20℃ ~ +150℃;

2、溫度波動度:≤±0.5℃;

3、溫度均勻度:≤1℃;

4、溫度偏差:≤±2℃;

5、升降溫速率:

從+20~-70℃,約70min

從+20―100℃,約55min

6、風速:1.7 ~ 2.5m/s;

以上指標均在環(huán)境溫度≤25℃,常壓,空載、無負荷條件下、距箱體內(nèi)壁1/6空間內(nèi)測試測得;

7、功率:約3.5Kw;

8、電源:220V±10%V;50Hz;

9、濕度范圍:20%―98%R.H(AT+25℃~+85℃)

10、濕度誤差:+2/-3%R.H(75%R.H以上),±5% R.H(75%R.H以下)

滿足相關(guān)標準及試驗方法:

GB/T2423.22-87Nb      GJB1032-90          MIL-STD-2164/(E/C)  

GB/T2423.4-93         GB/T2423.34-86         GJB150.9-86

高低溫環(huán)境試驗裝置「光電半導體領(lǐng)域」





高低溫環(huán)境試驗裝置「光電半導體領(lǐng)域」


結(jié)構(gòu)與材質(zhì)

內(nèi)箱材質(zhì):SUS#304耐熱耐寒不銹鋼一級鏡面光板.

外箱材質(zhì):高韌性冷軋不銹鋼板并以無溶劑粉體樹酯涂裝.

保溫材質(zhì):耐火級高強度PU聚氨酯發(fā)泡保溫絕緣材料(比一般PU更具斷熱,耐火功效),保溫系數(shù):小于0.0212kcal/m?hr.

箱門:全開式箱門1式,單扇開啟式.

門氣密材料:*高張力硅膠密封條,耐溫-90~280℃.


加濕系統(tǒng)

加濕方式:蒸汽加濕方式:采用電子并位元方式微動加濕系統(tǒng);加濕迅速,省水、省電、容許測試產(chǎn)品發(fā)熱200%以上. 加濕、除濕系統(tǒng)*獨立,無需額外排水.

加濕保護:加濕均采電子式三層保護及機械式保護開關(guān)壹組.附過熱、溢流雙重保護裝置.

防結(jié)露設計:可設定溫濕度同步斜率,避免試品結(jié)露.

高低溫環(huán)境試驗裝置「光電半導體領(lǐng)域」



設備使用條件

場地:地面平整,通風良好,不含易燃、易爆、腐蝕性氣體和粉塵.

附近沒有強電磁輻射源.

室內(nèi)環(huán)境條件:溫度: 5℃~35℃.

相對濕度: <85%RH.

氣壓: 86~106kpa.

排水口:設備附近備有排水地漏.






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